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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：IRL6342TRPBF

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：HEXFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：9.9A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：14.6 毫歐 @ 9.9A，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 10μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：11nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±12V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1025pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-SO

IRL6342TRPBF，英飛凌（Infineon）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：IRL6342TRPBF

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點(diǎn)擊此處查詢IRL6342TRPBF的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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