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Infineon

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我們?yōu)槿蚋鱾€行業(yè)提供英飛凌 IRFB3206GPBF及技術資料下載，幫助客戶快速、高效地完成各項工作并將產品推向市場。

零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數

制造商產品型號：IRFB3206GPBF

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：HEXFET?

零件狀態(tài)：不適用於新設計

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：120A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：3 毫歐 @ 75A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 150μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：170nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：6540pF @ 50V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：300W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：TO-220AB

IRFB3206GPBF，英飛凌（Infineon）產品一站式供應商。

基本參數：

電子零件型號：IRFB3206GPBF

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術標準參數：MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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