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Infineon

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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：IRFB23N20D

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：HEXFET?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：200V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：24A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：100 毫歐 @ 14A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：86nC @ 10V

Vgs（最大值）：±30V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1960pF @ 25V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），170W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：TO-220AB

IRFB23N20D，英飛凌（Infineon）產(chǎn)品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：IRFB23N20D

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處查詢IRFB23N20D的技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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