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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：IPB65R190C6

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263

系列：CoolMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：650V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：20.2A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：190 毫歐 @ 7.3A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 730μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：73nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1620pF @ 100V

功率 - 最大值：151W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263

IPB65R190C6，英飛凌（Infineon）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：IPB65R190C6

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263

產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管

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