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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：IMW120R090M1HXKSA1

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：CoolSiC?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1.2kV

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：26A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：15V，18V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：117 毫歐 @ 8.5A，18V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 3.7mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 18V

Vgs（最大值）：+23V，-7V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：707pF @ 800V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：115W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

器件封裝：PG-TO247-3-41

IMW120R090M1HXKSA1，英飛凌（Infineon）產(chǎn)品一站式供應(yīng)商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：IMW120R090M1HXKSA1

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

點擊此處查詢IMW120R090M1HXKSA1的技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）

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