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零件圖片（僅供參考）

規(guī)格參數(shù)

制造商產(chǎn)品型號：BSZ180P03NS3 G

制造商：Infineon Technologies（英飛凌）

描述：MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：30V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：8A（Ta），39.6A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：18 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 48μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：30nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2220pF @ 15V

功率 - 最大值：2.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-PowerTDFN

供應商器件封裝：-

BSZ180P03NS3 G，英飛凌（Infineon）產(chǎn)品一站式供應商。

基本參數(shù)：

電子零件型號：BSZ180P03NS3 G

原始制造廠商：英飛凌（Infineon）

技術標準參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

產(chǎn)品應用分類：單端場效應管

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